HBM显存最大劲敌：美光明年上三代HMC
http://news.mydrivers.com/1/446/446101.htm作为最老资历的PC组成部件，内存及内存存储体系已经拥有了几十年的历史，其漫长的发展过程曾伴随数次重要的变革，但纵观这些变革，无论是从FP到EDO还是从SD到DDR，在意义上均无法与即将发生的这场革命相提并论，这场革命的名字，叫堆叠内存。目前，按照堆叠方式及位置的不同，堆叠内存体系可以被分为2.5D和3D两种存在形式。而又因为内存还依标准不同还划分成了两大阵营，分别是海力士+AMD支持的HBM（High Bandwidth Memory）以及Intel支持、镁光/三星主导的HMC（Hybrid Memory Cube）联盟。AMD的Fury显卡是全球首款使用HBM显存的产品，明年海力士会拿出第二代。而在另一边，美光正在研发第三代HMC。美光称，三代HMC可以实现多片DRAM+Logic Die与SoC集成，首发产品是Intel Xeon Phi，代号“Knights Landing”。虽然本次没有透露技术指标，但目前面市的2GB、4GB HMC内存采用的4Gb颗粒数据传输速率是15Gb/s，带宽最高160GB/s，明年至少会翻倍。不过，三星现在也“倒戈”到了HBM，HMC就剩美光孤军奋战，尽管HMC相较HBM有不少优点，但能否流行起来仍面临很大考验。http://img1.mydrivers.com/img/20150909/s_caedf5bd1fb947268e9d8b927011bef2.jpghttp://img1.mydrivers.com/img/20150909/s_247f558ce8f64ca480bf283d41f45e30.jpgHMC前两代在哪{:5_138:} 52niu123 发表于 2015-9-9 15:32
HMC前两代在哪
同问，或者说美光是想在收购前造点势？？ 芯片温度本身够高了，你还没内存叠在芯片上，这个要有更先进的制造工艺，和良率；
暂时还是HBM的优势比较大，首先成本要低，良率问题比较容易解决。
本帖最后由 冶天 于 2015-9-9 19:52 编辑
z23wen 发表于 2015-9-9 19:41
芯片温度本身够高了，你还没内存叠在芯片上，这个要有更先进的制造工艺，和良率；
暂时还是HBM的优势比较大 ...
你都说完了我路过下 网上有示意图 HMC独立存储区 但没什么下文 TSV成本不是一般的高 CPUHBMGPU 这个布局也许也行 独立也可以 频率距离次要 优化位宽 高速分配 从编译器和南桥融和SOC 交替使用内存和HBM HMC 然后就可以给规模计算 有点类似GCN单芯双芯交火的意思 频率只是已有阶段 迟早有物理极限的 还是要回归到当初 软件 硬件都要高效分配 过渡到新材料 卧槽，直接跳过两代研发第三代了？
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