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本帖最后由 冶天 于 2015-12-6 23:02 编辑
http://www.expreview.com/44350.html
以往在工艺进度上落后Intel的三星以及TSMC倒是一个比一个激进，工艺进度各种秒杀Intel，三星前不久才展示了10nm SRAM芯片，不过嘴炮更厉害的TSMC表示他们早就生产了7nm SRAM芯片了，还在积极准备下下下代的5nm工艺。
作为地球上半导体工艺最先进的公司，Intel在14nm节点遭遇困难之后对后续工艺的态度就谨慎多了，下一代10nm工艺至少推迟到了2017年下半年了。相比之下，以往在工艺进度上落后Intel的三星以及TSMC倒是一个比一个激进，工艺进度各种秒杀Intel， 三星前不久才展示了10nm SRAM芯片，不过嘴炮更厉害的TSMC表示他们早就生产了7nm SRAM芯片了，还在积极准备下下下代的5nm工艺。
TSMC在16nm FinFET工艺上吃了进度落后的大亏，丢失了高通以及部分苹果处理器订单，所以他们在新一代工艺上加快了步伐。目前16nm节点上，TSMC已经推出了16nm FinFET、高性能的FinFET Plus工艺以及最新推出的低功耗版16nm FFC工艺，前两种工艺都已经量产，FFC工艺已经有27个方案流片，明年则有可能达到100个流片方案。 16nm之后TSMC会进入10nm工艺节点，三星在这方面抢先一步，上个月就宣布了10nm SRAM芯片了，不过TSMC联席CEO刘德音在日前的供应链大会上表示TSMC早就使用7nm工艺生产了SRAM芯片了（小编很好奇如此利好为啥之前都不公开？），言外之意就是他们的进度比三星更快。 按照TSMC的说法，10nm FinFET工艺会在2016年初试产，7nm工艺则会在2017年初试产，算起来几乎是一年刷新一次工艺，这个进度可比现在快多了，要知道28nm工艺差不多5年了还是目前的主流工艺。 别以为7nm工艺就是终点了，刘德音还提到了TSMC正在准备更更更先进的5nm工艺，虽然细节一无所知，但10nm工艺以下快要达到硅基半导体的极限了，升级越来越困难，需要采用不同的的光刻设备了，估计EUV光刻工艺在7nm及之后的工艺节点也准备的差不多了，在EUV推进中TSMC倒是比Intel还积极， 早前有消息称TSMC准备在10nm节点就启用EUV工艺。 PS：对于三星和TSMC的嘴炮，大家淡定看待吧，10nm及之后的工艺进度公认越来越难，而Intel积累这么多年，对先进工艺的进步反倒是越来越谨慎了，但是三星、TSMC看起来如有神助，恨不得一年升级一次工艺，难道瞬间就能超过Intel了？
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发表于 2015-12-6 10:52:06
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