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本帖最后由 冶天 于 2015-11-5 15:41 编辑
http://news.mydrivers.com/1/455/455032.htm
虽说目前的消息是，AMD和NVIDIA明年的主流级别的显卡会使用GDDR5X，也就是美光独家的通过提高预取数据位宽（从8位提升到了16位）的方法来提升带宽，突破目前GDDR5的瓶颈，但旗舰高端产品必然还是使用HBM。 AMD已经拿出的三款Fiji核心的显卡Fury\Fury X\R9 Nano，都是使用的一代HBM，由AMD倾尽8年心血和SK海力士联合打造，第一次就带来了512GB/s的带宽、4096bit超高位宽。 
近日，Chipworks也把自己对Fiji核心的X光透视拿了出来，Fiji XT这颗核心的“内在美”首次展现在我们面前。 
根据官方资料，Fiji面积为596平方毫米，是AMD迄今造出来的最庞大GPU。 
和Tonga一比大小一目了然。因为是一代HBM，所以集成了4颗HBM显存，每一颗都采用四层Die进行堆叠，每个Die的容量为2Gb(256MB)，因此每颗容量为1GB、1024bit内存控制器，总的显存容量就是4GB、位宽4096。 
不同于GDDR5是“盖平方”，3D堆叠的HBM可以理解为“盖楼房”。这也是整个HBM最大难点，即如何实现内存控制体系的互联。 
HBM显存所采用的TSV（硅穿孔）技术本质上就是在保证结构强度的前提下在芯片（硅）上直接垂直通孔。通孔过程看似简单，但技术层面的进展一直相当不顺利。无论存储还是逻辑芯片的结构及加工过程都相当复杂，这注定了芯片本身的脆弱性，想要在不影响芯片强度以及完整性的前提下在一块DRAM颗粒上打洞，而且是不止一个的孔洞，这件事儿的具体技术细节根本无需讨论，光是想想就已经很难了。 这种垂直互联不仅距离更短而且延迟更低，这是HBM显存的一大优势。 现在希望的就是除了海力士，三星也能加快量产HBM，明年再升级显卡是这将成为一个更为重要的参考因素。 冶天:晶体管打洞,高精尖技术活.
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发表于 2015-11-5 15:36:35
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