华人胡正明获美国最高技术奖：发明FinFET

冶天

http://news.mydrivers.com/1/462/462866.htm

据白宫官网报道，美国东部时间22日，2015年美国最高科技奖获奖名单公布，包括9名国家科学奖获得者（National Medal of Science）和8名国家技术和创新奖（National Medal of Technology and Innovation）获得者。

其中美籍华人科学家胡正明荣获年度国家技术和创新奖。

胡正明教授是鳍式场效晶体管（FinFET）的发明者，如今三星、台积电能做到14nm/16nm都依赖这项技术。他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在台湾长大，后来考入加州大学伯克利分校。

在华为海思麒麟950的发布会上，胡正明教授曾现身VCR（视频点击），据他介绍，FinFET的两个突破，一是把晶体做薄后解决了漏电问题，二是向上发展，晶片内构从水平变成垂直。

胡认为，FinFET的真正影响是打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制，这项技术现在仍看不到极限。

2010年后，Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头，胡教授的FinFET和FD-SOI工艺发明得以使摩尔定律在今天延续传奇。