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Fury X产能有望提升:联华电子开始为AMD量产硅穿孔中介层
http://www.expreview.com/41878.html
今日联华电子发表公告称,他们的TSV硅穿孔技术已经进入量产工作,具体是为AMD新一代旗舰显卡Fury X生产GPU与HBM堆栈式显存下的中介层,有望为后者的产能问题提供帮助。
AMD新一代旗舰显卡Radeon R9 Fury X上市也有一段时间了,不过新工艺的产能往往会低一些,这款显卡供货不多,往后的R9 Fury以及R9 nano也将受到影响。不过现在他们迎来了好消息,联华电子宣布,他们的TSV穿透硅通孔技术已经进入量产阶段,将可帮助AMD度过产能的难关。 TSV穿透硅通孔技术(或者叫硅穿孔技术)主要应用于HBM堆栈式显存与中介层连接,让各个Die可以穿过下层的其它Die,之后再通过μBump微凸块直通中介层;除此之外,中介层也是采用同样的技术来连接显存与CPU/GPU。 从公告来看,联华电子所负责的就是后面说的这种中介层的量产工作,具体是其位于新加坡的12英寸特殊技术晶圆厂Fab 12i。 不过中介层产能提上来了,接下来AMD还需要解决HBM堆栈式显存的产能,这样大家想买R9 nano的时候才不会对着“无货”两个字干等了。 冶天:未来HBM或许真会大部分产品使用吧
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