三星14nm狂拼台积电16nm：同时出绝招

包子侯爵

http://news.mydrivers.com/1/467/467339.htm

三星14nm FinFET、台积电16nm FinFET两大工艺的竞争可谓空前惨烈，从合伙代工苹果A9，到争抢各路订单，杀得好不热闹。

据韩国媒体称，为了进一步提高竞争力，两家都在准备推出新工艺的第三代版本。

台积电的第一代16nm工艺是FinFET(FF)标准版，之后推出了FinFET Plus(FF+)增强版。

此外，台积电还已经完成了FinFET Compact(FFC)的研发设计，将在本季度内投入量产，比原计划提前了几乎半年。

它主要针对中低端移动设备、可穿戴、物联网应用等领域，会引入新的电气特性设计，成本和功耗更低。

三星这边的14nm最初是Low Power Early(LPE)，造出了名满天下的Exynos 7420，而即将诞生的Exynos 8890、骁龙820使用的都是第二代Low Power Plus(LPP)，漏电率减少了15％。

接下来，三星也将推出第三代14nm。

三星System LSI部门的市场副总裁Bae Young-chang透露说：“我们会紧跟着第二代14nm工艺开发一个衍生版本，继续引领移动芯片和代工市场。”

新工艺的具体细节不详，不知道会不会和台积电16nm FFC定位类似，主打低功耗智能设备。